半导体超结器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010372056.5

申请日：

2020-05-06

公开(公告)号：

CN113628968B

公开(公告)日：

2021-11-09

发明(设计)人：

刘伟袁愿林徐真逸龚轶

申请人：

申请人地址：

215200 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	公开	公开
2021-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200506
2022-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体超结器件的制造方法 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

王睿 ;

龚轶 .

中国专利 :CN113628969B ,2021-11-09

[2]

半导体超结器件的制造方法 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

王睿 ;

刘磊 .

中国专利 :CN112086506B ,2020-12-15

[3]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[4]

半导体超结功率器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

袁愿林 ;

王睿 ;

刘磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN117954491A ,2024-04-30

[5]

超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120167136A ,2025-06-17

[6]

超结结构和超结半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

姚国亮 ;

王元刚 ;

雷天飞 ;

葛瑞 ;

陈曦 .

中国专利 :CN102148163B ,2011-08-10

[7]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[8]

超结半导体器件及制造方法 [P].

H·韦伯 .

中国专利 :CN104347351A ,2015-02-11

[9]

超结器件的制造方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

田俊 ;

付振 ;

张泉 ;

肖超 ;

尹强 .

中国专利 :CN114512406A ,2022-05-17

[10]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

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