超结半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410370295.1

申请日：

2014-07-30

公开(公告)号：

CN104347351A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

H·韦伯

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L29739

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2018-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20150211
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601516879 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014103702951 申请日:20140730

共 50 条

[1]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[2]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[3]

超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120167136A ,2025-06-17

[4]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[6]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[7]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[8]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

高津爱 ;

梁路 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN118299403A ,2024-07-05

[9]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

张耀权 ;

韩廷瑜 ;

梁路 .

中国专利 :CN117894820A ,2024-04-16

[10]

制造超结半导体器件的方法 [P].

大井明彦 .

中国专利 :CN102280383A ,2011-12-14

← 1 2 3 4 5 →