超结半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510889366.3

申请日：

2015-12-04

公开(公告)号：

CN105489498A

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

童亮

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331 H01L2906 H01L29739 H01L2978

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160413
2016-04-13	公开	公开
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659551905 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015108893663 申请日:20151204

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891177A ,2013-01-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109904231B ,2019-06-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891178A ,2013-01-23

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891176A ,2013-01-23

[5]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

杨海宁 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN101064343A ,2007-10-31

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN102034865A ,2011-04-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103811321B ,2014-05-21

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