超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280101502.6

申请日：

2022-11-08

公开(公告)号：

CN120167136A

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

S·沃思 L·克诺尔

申请人：

日立能源有限公司

申请人地址：

瑞士苏黎世

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10 H10D62/13

代理机构：

北京市汉坤律师事务所 11602

代理人：

魏小薇;吴丽丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	公开	公开
2025-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20221108

共 50 条

[1]

超结功率半导体器件 [P].

丹尼尔·M·金策 .

中国专利 :CN101641791A ,2010-02-03

[2]

半导体超结功率器件 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

刘磊 ;

王睿 .

中国专利 :CN112864221B ,2021-05-28

[3]

半导体超结功率器件 [P].

王鹏飞 ;

袁愿林 ;

刘磊 ;

王睿 .

中国专利 :CN118231446A ,2024-06-21

[4]

半导体超结功率器件 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

袁愿林 ;

王睿 .

中国专利 :CN116137283B ,2025-09-12

[5]

半导体超结功率器件 [P].

王鹏飞 ;

袁愿林 ;

刘磊 ;

王睿 .

中国专利 :CN118231464A ,2024-06-21

[6]

半导体超结功率器件 [P].

刘磊 ;

刘伟 ;

龚轶 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN109994468B ,2019-07-09

[7]

半导体超结功率器件 [P].

袁愿林 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN111326585A ,2020-06-23

[8]

半导体超结功率器件 [P].

王鹏飞 ;

缪进征 ;

王睿 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN121240495A ,2025-12-30

[9]

全超结功率半导体器件及其制造方法 [P].

支立明 .

中国专利 :CN120050980A ,2025-05-27

[10]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

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