半导体超结功率器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211651724.3
申请日
2022-12-21
公开(公告)号
CN118231464A
公开(公告)日
2024-06-21
发明(设计)人
王鹏飞 袁愿林 刘磊 王睿
申请人
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址
215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L29/06
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
初春
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 苏州市
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共 50 条
[1]
半导体超结功率器件 [P]. 
王鹏飞 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
王睿 .
中国专利 :CN118231446A ,2024-06-21
[2]
半导体超结功率器件 [P]. 
龚轶 ;
刘伟 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
王睿 .
中国专利 :CN112864221B ,2021-05-28
[3]
半导体超结功率器件 [P]. 
王鹏飞 ;
缪进征 ;
王睿 ;
袁愿林 .
中国专利 :CN121240495A ,2025-12-30
[4]
半导体超结功率器件 [P]. 
刘伟 ;
刘磊 ;
袁愿林 ;
王睿 .
中国专利 :CN116137283B ,2025-09-12
[5]
半导体超结功率器件 [P]. 
刘磊 ;
刘伟 ;
龚轶 ;
袁愿林 .
中国专利 :CN109994468B ,2019-07-09
[6]
半导体超结功率器件 [P]. 
袁愿林 ;
刘磊 ;
刘伟 ;
王睿 .
中国专利 :CN111326585A ,2020-06-23
[7]
一种半导体超结功率器件 [P]. 
龚轶 ;
刘伟 ;
刘磊 ;
袁愿林 ;
王睿 .
中国专利 :CN112885827B ,2021-06-01
[8]
半导体功率器件 [P]. 
王鹏飞 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
王睿 .
中国专利 :CN118231465A ,2024-06-21
[9]
半导体超结功率器件及其制造方法 [P]. 
王鹏飞 ;
袁愿林 ;
王睿 ;
刘磊 ;
缪进征 .
中国专利 :CN117954491A ,2024-04-30
[10]
超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P]. 
S·沃思 ;
L·克诺尔 .
:CN120167136A ,2025-06-17