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超结半导体器件的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201611250024.8
申请日
:
2016-12-29
公开(公告)号
:
CN108258045A
公开(公告)日
:
2018-07-06
发明(设计)人
:
钟圣荣
王荣华
申请人
:
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L21336
代理机构
:
北京博思佳知识产权代理有限公司 11415
代理人
:
林祥
法律状态
:
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-01
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180706
2018-07-06
公开
公开
2018-07-31
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20161229
共 50 条
[1]
超结半导体器件的制备方法
[P].
赵勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
无锡旷通半导体有限公司
无锡旷通半导体有限公司
赵勇
;
廖巍
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
无锡旷通半导体有限公司
无锡旷通半导体有限公司
廖巍
.
中国专利
:CN120417453A
,2025-08-01
[2]
超结半导体器件及其制备方法
[P].
赵东艳
论文数:
0
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0
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0
赵东艳
;
肖超
论文数:
0
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0
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肖超
;
陈燕宁
论文数:
0
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0
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陈燕宁
;
邵瑾
论文数:
0
引用数:
0
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邵瑾
;
付振
论文数:
0
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0
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付振
;
刘芳
论文数:
0
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刘芳
;
田俊
论文数:
0
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0
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田俊
;
张泉
论文数:
0
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0
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张泉
;
尹强
论文数:
0
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0
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0
尹强
.
中国专利
:CN115064446B
,2022-09-16
[3]
超结半导体器件及其制备方法
[P].
钟圣荣
论文数:
0
引用数:
0
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0
钟圣荣
.
中国专利
:CN109637969A
,2019-04-16
[4]
超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件
[P].
赵勇
论文数:
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机构:
无锡旷通半导体有限公司
无锡旷通半导体有限公司
赵勇
;
廖巍
论文数:
0
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0
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0
机构:
无锡旷通半导体有限公司
无锡旷通半导体有限公司
廖巍
.
中国专利
:CN120897493A
,2025-11-04
[5]
超结半导体器件
[P].
李宝杰
论文数:
0
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0
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
李宝杰
;
任文珍
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0
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
任文珍
;
丛茂杰
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
丛茂杰
;
陆珏
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
陆珏
;
徐旭东
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
徐旭东
.
中国专利
:CN119364831B
,2025-05-16
[6]
超结半导体器件
[P].
李宝杰
论文数:
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0
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
李宝杰
;
任文珍
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
任文珍
;
丛茂杰
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
丛茂杰
;
陆珏
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
陆珏
;
徐旭东
论文数:
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0
机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
徐旭东
.
中国专利
:CN119364831A
,2025-01-24
[7]
超结半导体器件
[P].
田村隆博
论文数:
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田村隆博
;
大西泰彦
论文数:
0
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0
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0
大西泰彦
.
中国专利
:CN102646708B
,2012-08-22
[8]
超结半导体器件
[P].
苑羽中
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苑羽中
;
张玉琦
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张玉琦
;
戴银
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0
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0
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0
戴银
.
中国专利
:CN114512536B
,2022-05-17
[9]
超结半导体器件
[P].
李宝杰
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0
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
李宝杰
;
任文珍
论文数:
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
任文珍
;
丛茂杰
论文数:
0
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0
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
丛茂杰
;
陆珏
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
陆珏
;
徐旭东
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机构:
芯联集成电路制造股份有限公司
芯联集成电路制造股份有限公司
徐旭东
.
中国专利
:CN120603304A
,2025-09-05
[10]
超结半导体器件
[P].
韩廷瑜
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韩廷瑜
;
叶彪
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叶彪
;
张耀权
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张耀权
.
中国专利
:CN217306511U
,2022-08-26
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