超结半导体器件的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611250024.8
申请日
2016-12-29
公开(公告)号
CN108258045A
公开(公告)日
2018-07-06
发明(设计)人
钟圣荣 王荣华
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
北京博思佳知识产权代理有限公司 11415
代理人
林祥
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
超结半导体器件的制备方法 [P]. 
赵勇 ;
廖巍 .
中国专利 :CN120417453A ,2025-08-01
[2]
超结半导体器件及其制备方法 [P]. 
赵东艳 ;
肖超 ;
陈燕宁 ;
邵瑾 ;
付振 ;
刘芳 ;
田俊 ;
张泉 ;
尹强 .
中国专利 :CN115064446B ,2022-09-16
[3]
超结半导体器件及其制备方法 [P]. 
钟圣荣 .
中国专利 :CN109637969A ,2019-04-16
[4]
超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P]. 
赵勇 ;
廖巍 .
中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04
[5]
超结半导体器件 [P]. 
李宝杰 ;
任文珍 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16
[6]
超结半导体器件 [P]. 
李宝杰 ;
任文珍 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24
[7]
超结半导体器件 [P]. 
田村隆博 ;
大西泰彦 .
中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22
[8]
超结半导体器件 [P]. 
苑羽中 ;
张玉琦 ;
戴银 .
中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17
[9]
超结半导体器件 [P]. 
李宝杰 ;
任文珍 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05
[10]
超结半导体器件 [P]. 
韩廷瑜 ;
叶彪 ;
张耀权 .
中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26