超结半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510705325.8

申请日：

2025-05-29

公开(公告)号：

CN120417453A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

赵勇廖巍

申请人：

无锡旷通半导体有限公司

申请人地址：

214111 江苏省无锡市新吴区弘毅路11-6号研发楼301单元

IPC主分类号：

H10D62/00

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01 H10D30/66

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/00申请日:20250529
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

超结半导体器件的制备方法 [P].

钟圣荣 ;

王荣华 .

中国专利 :CN108258045A ,2018-07-06

[2]

制造超结半导体器件的方法 [P].

大井明彦 .

中国专利 :CN102280383A ,2011-12-14

[3]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[4]

超结半导体器件及其制备方法 [P].

赵东艳 ;

肖超 ;

陈燕宁 ;

邵瑾 ;

付振 ;

刘芳 ;

田俊 ;

张泉 ;

尹强 .

中国专利 :CN115064446B ,2022-09-16

[5]

超结半导体器件及其制备方法 [P].

钟圣荣 .

中国专利 :CN109637969A ,2019-04-16

[6]

超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04

[7]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[8]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[9]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[10]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

← 1 2 3 4 5 →