超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511213633.5

申请日：

2025-08-28

公开(公告)号：

CN120897493A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

赵勇廖巍

申请人：

无锡旷通半导体有限公司

申请人地址：

214111 江苏省无锡市新吴区弘毅路11-6号研发楼301单元

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/60 H10D12/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250828

共 50 条

[1]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[2]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 ;

北村睦美 .

中国专利 :CN103066125A ,2013-04-24

[3]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[4]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[5]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

[6]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[7]

超结半导体器件 [P].

韩廷瑜 ;

叶彪 ;

张耀权 .

中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26

[8]

超结半导体器件 [P].

武井学 .

中国专利 :CN102439727B ,2012-05-02

[9]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[10]

半导体器件结终端结构 [P].

蒲奎 .

中国专利 :CN102130150A ,2011-07-20

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