超结半导体器件

被引：0

申请号：

CN202210402006.6

申请日：

2022-04-18

公开(公告)号：

CN114512536B

公开(公告)日：

2022-05-17

发明(设计)人：

苑羽中张玉琦戴银

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-17	公开	公开
2022-07-15	授权	授权
2022-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220418

共 50 条

[1]

超结MOSFET及半导体器件 [P].

赵毅 ;

陈水良 ;

李秀柱 ;

曹文康 ;

符小干 ;

李贤 ;

陈海涛 .

中国专利 :CN222071951U ,2024-11-26

[2]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[3]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[4]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[6]

超结半导体器件 [P].

韩廷瑜 ;

叶彪 ;

张耀权 .

中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26

[7]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 ;

北村睦美 .

中国专利 :CN103066125A ,2013-04-24

[8]

超结半导体器件 [P].

武井学 .

中国专利 :CN102439727B ,2012-05-02

[9]

超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04

[10]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

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