超结半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210044503.X

申请日：

2012-02-16

公开(公告)号：

CN102646708B

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

田村隆博大西泰彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573122775 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210044503X 申请日:20120216
2012-08-22	公开	公开
2016-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 ;

北村睦美 .

中国专利 :CN103066125A ,2013-04-24

[2]

超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04

[3]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[4]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[6]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

[7]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[8]

超结半导体器件 [P].

韩廷瑜 ;

叶彪 ;

张耀权 .

中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26

[9]

超结半导体器件 [P].

武井学 .

中国专利 :CN102439727B ,2012-05-02

[10]

超结功率半导体器件 [P].

丹尼尔·M·金策 .

中国专利 :CN101641791A ,2010-02-03

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