超结半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710931499.1

申请日：

2017-10-09

公开(公告)号：

CN109637969A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

钟圣荣

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22

IPC主分类号：

H01L21761

IPC分类号：

H01L218234 H01L27088 H01L2906

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

林祥

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/761 申请公布日:20190416
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/761 申请日:20171009
2019-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

超结半导体器件及其制备方法 [P].

赵东艳 ;

肖超 ;

陈燕宁 ;

邵瑾 ;

付振 ;

刘芳 ;

田俊 ;

张泉 ;

尹强 .

中国专利 :CN115064446B ,2022-09-16

[2]

超结半导体器件的制备方法 [P].

钟圣荣 ;

王荣华 .

中国专利 :CN108258045A ,2018-07-06

[3]

超结半导体器件的制备方法 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120417453A ,2025-08-01

[4]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[6]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[7]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

高津爱 ;

梁路 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN118299403A ,2024-07-05

[8]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

张耀权 ;

韩廷瑜 ;

梁路 .

中国专利 :CN117894820A ,2024-04-16

[9]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[10]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

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