一种超结半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710216822.7

申请日：

2017-04-05

公开(公告)号：

CN108695372B

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

黄铭敏

申请人：

申请人地址：

610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	授权	授权
2018-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170405
2018-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[2]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[3]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[4]

一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166915B ,2019-01-08

[5]

一种超结IGBT的半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907745U ,2021-04-06

[6]

一种浅沟道超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907744U ,2021-04-06

[7]

半导体超结功率器件 [P].

刘磊 ;

刘伟 ;

龚轶 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN109994468B ,2019-07-09

[8]

半导体超结功率器件 [P].

袁愿林 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN111326585A ,2020-06-23

[9]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[10]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 ;

北村睦美 .

中国专利 :CN103066125A ,2013-04-24

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