一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810989310.9

申请日：

2018-08-28

公开(公告)号：

CN109166915B

公开(公告)日：

2019-01-08

发明(设计)人：

张金平王康罗君轶赵阳刘竞秀李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423 H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-30	授权	授权
2019-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20180828
2019-01-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166924B ,2019-01-08

[2]

一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109119461B ,2019-01-01

[3]

一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110459598A ,2019-11-15

[4]

一种槽栅型超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907746U ,2021-04-06

[5]

一种浅沟道超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907744U ,2021-04-06

[6]

一种超结半导体器件 [P].

黄铭敏 .

中国专利 :CN108695372B ,2018-10-23

[7]

超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11

[8]

一种超结IGBT的半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907745U ,2021-04-06

[9]

一种MOS型功率半导体器件 [P].

乔明 ;

何逸涛 ;

温恒娟 ;

向凡 ;

周锌 ;

吴文杰 ;

张波 .

中国专利 :CN102832249A ,2012-12-19

[10]

半导体超结功率器件 [P].

刘磊 ;

刘伟 ;

龚轶 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN109994468B ,2019-07-09

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