一种MOS型功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210333289.X

申请日：

2012-09-11

公开(公告)号：

CN102832249A

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

乔明何逸涛温恒娟向凡周锌吴文杰张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29739

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

温利平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	公开	公开
2013-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101391738160 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210333289X 申请日:20120911
2015-09-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101721038997 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210333289X 申请公布日:20121219

共 50 条

[1]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[2]

一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166924B ,2019-01-08

[3]

MOS型功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17

[4]

MOS功率半导体器件 [P].

王颢 .

中国专利 :CN102244100A ,2011-11-16

[5]

一种MOS功率半导体器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN118888593A ,2024-11-01

[6]

半导体功率器件 [P].

萨尔曼·阿克拉姆 ;

文卡特·阿南坦 .

中国专利 :CN209515677U ,2019-10-18

[7]

一种半导体功率器件 [P].

常磊 .

中国专利 :CN221486503U ,2024-08-06

[8]

一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166915B ,2019-01-08

[9]

MOS功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15

[10]

槽型半导体功率器件 [P].

罗小蓉 ;

姚国亮 ;

雷天飞 ;

王元刚 ;

张波 .

中国专利 :CN102110716B ,2011-06-29

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