半导体功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201690000836.4

申请日：

2016-05-19

公开(公告)号：

CN209515677U

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

萨尔曼·阿克拉姆文卡特·阿南坦

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王琳;姚开丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

陈文伟 .

中国专利 :CN207781613U ,2018-08-28

[2]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN207781614U ,2018-08-28

[3]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN207781612U ,2018-08-28

[4]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

向璐 ;

陈琛 ;

吕焕秀 .

中国专利 :CN207781611U ,2018-08-28

[5]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

顾悦吉 ;

张邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN207781615U ,2018-08-28

[6]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

T·T·P·法姆 ;

朴金硕 ;

A·康斯坦丁诺夫 ;

T·奈尔 .

美国专利 :CN110797260B ,2024-09-13

[7]

半导体功率器件 [P].

刘伟 ;

王鑫 ;

袁愿林 ;

龚轶 .

中国专利 :CN114335170A ,2022-04-12

[8]

功率半导体器件 [P].

P·甘蒙 ;

C·W·陈 .

中国专利 :CN107548521A ,2018-01-05

[9]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011433U ,2014-12-10

[10]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

中国专利 :CN114628520A ,2022-06-14

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