功率半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201580076511.4
申请日
2015-02-18
公开(公告)号
CN107548521A
公开(公告)日
2018-01-05
发明(设计)人
P·甘蒙 C·W·陈
申请人
申请人地址
英国沃里克郡
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2908 H01L29165 H01L29739 H01L2978
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
袁媛;王珍仙
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及制造半导体器件的方法 [P]. 
浅野正义 ;
三谷纯一 .
中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01
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半导体器件及其制造方法 [P]. 
施金汕 ;
黄琳洁 ;
朱春林 ;
姜克 .
中国专利 :CN119967829A ,2025-05-09
[3]
功率半导体器件 [P]. 
王亚飞 ;
卢吴越 ;
宋瓘 ;
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[4]
功率半导体器件 [P]. 
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[5]
功率半导体器件 [P]. 
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韩国专利 :CN114628520B ,2025-09-19
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功率半导体器件 [P]. 
河定穆 ;
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半导体功率器件 [P]. 
萨尔曼·阿克拉姆 ;
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[8]
功率半导体器件 [P]. 
王亚飞 ;
卢吴越 ;
宋瓘 ;
李乐乐 ;
张文杰 ;
王志成 ;
刘小东 ;
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[9]
功率半导体器件 [P]. 
孙楠楠 ;
荣子全 ;
潘菊 ;
万波 ;
张均宝 ;
于梦蛟 ;
吴赜成 .
中国专利 :CN222168398U ,2024-12-13
[10]
半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆 [P]. 
刘红超 ;
孟大宇 .
中国专利 :CN120035213A ,2025-05-23