功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111537706.8

申请日：

2021-12-15

公开(公告)号：

CN114220843A

公开(公告)日：

2022-03-22

发明(设计)人：

王亚飞卢吴越宋瓘李乐乐张文杰王志成刘小东朱奇伟李诚瞻

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2358 H01L29872

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

陈超德;吴昊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	公开	公开
2022-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211215

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

王亚飞 ;

卢吴越 ;

宋瓘 ;

李乐乐 ;

张文杰 ;

王志成 ;

刘小东 ;

朱奇伟 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN114220843B ,2025-12-02

[2]

功率半导体器件 [P].

P·甘蒙 ;

C·W·陈 .

中国专利 :CN107548521A ,2018-01-05

[3]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

中国专利 :CN114628520A ,2022-06-14

[4]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

韩国专利 :CN114628520B ,2025-09-19

[5]

功率半导体器件 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金台烨 ;

崔东桓 ;

金信儿 .

中国专利 :CN115602700A ,2023-01-13

[6]

半导体功率器件 [P].

萨尔曼·阿克拉姆 ;

文卡特·阿南坦 .

中国专利 :CN209515677U ,2019-10-18

[7]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[8]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

M·普法芬莱纳 ;

A·比斯瓦斯 ;

M·科托罗格亚 ;

H-J·舒尔茨 ;

P·森格 .

德国专利 :CN119730355A ,2025-03-28

[9]

功率半导体器件 [P].

窦泽春 ;

肖红秀 ;

李继鲁 ;

方杰 ;

常桂钦 ;

刘国友 ;

彭勇殿 .

中国专利 :CN104134648A ,2014-11-05

[10]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

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