功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411342008.6

申请日：

2024-09-25

公开(公告)号：

CN119730355A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

M·普法芬莱纳 A·比斯瓦斯 M·科托罗格亚 H-J·舒尔茨 P·森格

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H10D84/00

IPC分类号：

H10D8/00 H10D1/40 H10D62/10 H01C7/02

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;陈晓

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

F·普菲尔施 ;

H-J·舒尔茨 ;

V·范特里克 .

德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01

[2]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

C·汉默 ;

M·穆勒 ;

W·莱纳特 .

中国专利 :CN115547821A ,2022-12-30

[3]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[4]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[5]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法和操作功率半导体器件的方法 [P].

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

R·巴伯斯克 ;

H-J·舒尔茨 ;

D·施洛格 .

德国专利 :CN117525135A ,2024-02-06

[6]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

R·迪特米勒 ;

A·科泽尼茨 ;

B·比纳尔 ;

W·瓦格纳 ;

P·C·布兰特 ;

F·希尔 ;

V·科马尼茨基 ;

F·普菲尔施 ;

F·J·尼德诺斯泰德 ;

M·普罗布斯特 .

德国专利 :CN118231403A ,2024-06-21

[7]

功率半导体器件以及生产功率半导体器件的方法 [P].

H-J·特斯 .

德国专利 :CN120692902A ,2025-09-23

[8]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

H-J·泰斯 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN119767703A ,2025-04-04

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·莫德 ;

H-J·泰斯 .

德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04

[10]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

T·纳尔德曼 ;

V·拉皮杜斯 ;

F·普菲尔施 ;

A·斯卡沃佐 .

:CN119730266A ,2025-03-28

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