功率半导体器件以及生产功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510326113.9

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

CN120692902A

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

H-J·特斯

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/13 H10D62/00 H10D64/23 H10D64/27 H10D64/01 H10D12/00 H10D12/01 H10D30/60 H10D30/01 H10D84/80 H10D84/01

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

才卓;吕传奇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

F·普菲尔施 ;

H-J·舒尔茨 ;

V·范特里克 .

德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01

[2]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[3]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[4]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

M·普法芬莱纳 ;

A·比斯瓦斯 ;

M·科托罗格亚 ;

H-J·舒尔茨 ;

P·森格 .

德国专利 :CN119730355A ,2025-03-28

[5]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

C·汉默 ;

M·穆勒 ;

W·莱纳特 .

中国专利 :CN115547821A ,2022-12-30

[6]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

R·迪特米勒 ;

A·科泽尼茨 ;

B·比纳尔 ;

W·瓦格纳 ;

P·C·布兰特 ;

F·希尔 ;

V·科马尼茨基 ;

F·普菲尔施 ;

F·J·尼德诺斯泰德 ;

M·普罗布斯特 .

德国专利 :CN118231403A ,2024-06-21

[7]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法和操作功率半导体器件的方法 [P].

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

R·巴伯斯克 ;

H-J·舒尔茨 ;

D·施洛格 .

德国专利 :CN117525135A ,2024-02-06

[8]

功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法 [P].

让·米切尔·雷内斯 ;

斯特凡·阿尔维斯 ;

阿兰·德朗 ;

布兰迪诺·洛佩斯 ;

乔尔·马尔盖里塔 .

中国专利 :CN101228636A ,2008-07-23

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

H-J·泰斯 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN119767703A ,2025-04-04

[10]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·莫德 ;

H-J·泰斯 .

德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-23	公开	公开