功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411371051.5

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN119767703A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

H-J·泰斯 A·莫德

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H10D12/01

IPC分类号：

H10D12/00 H10D30/01 H10D30/66

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;胡莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·莫德 ;

H-J·泰斯 .

德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04

[2]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

T·纳尔德曼 ;

V·拉皮杜斯 ;

F·普菲尔施 ;

A·斯卡沃佐 .

:CN119730266A ,2025-03-28

[3]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·菲利普 ;

T·阿诺德 ;

S·施密特 ;

F·J·尼德诺斯特海德 .

德国专利 :CN120129259A ,2025-06-10

[4]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[5]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[6]

功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P].

D·卡塞斯 ;

A·科泽尼茨 ;

H·舒尔茨 ;

F·乌姆巴赫 .

中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17

[7]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

M·普法芬莱纳 ;

A·比斯瓦斯 ;

M·科托罗格亚 ;

H-J·舒尔茨 ;

P·森格 .

德国专利 :CN119730355A ,2025-03-28

[8]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

C·汉默 ;

M·穆勒 ;

W·莱纳特 .

中国专利 :CN115547821A ,2022-12-30

[9]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[10]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

F·普菲尔施 ;

H-J·舒尔茨 ;

V·范特里克 .

德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01

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