半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311460246.2

申请日：

2023-11-03

公开(公告)号：

CN119967829A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

施金汕黄琳洁朱春林姜克

申请人：

安世半导体科技（上海）有限公司安世有限公司

申请人地址：

200025 上海市黄浦区局门路458号201室

IPC主分类号：

H10D12/00

IPC分类号：

H10D12/01

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

麦善勇;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

尹汝祖 .

中国专利 :CN101465350A ,2009-06-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN102931191A ,2013-02-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

高尧焕 ;

崔珍赫 .

中国专利 :CN1171629A ,1998-01-28

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101847636B ,2010-09-29

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347502A ,2015-02-11

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