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半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310471462.7
申请日
:
2013-10-10
公开(公告)号
:
CN104347502A
公开(公告)日
:
2015-02-11
发明(设计)人
:
江国诚
徐廷鋐
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L218232
IPC分类号
:
H01L27088
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;孙征
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-03-11
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601517662 IPC(主分类):H01L 21/8232 专利申请号:2013104714627 申请日:20131010
2017-08-15
授权
授权
2015-02-11
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
江国诚
论文数:
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江国诚
;
徐廷鋐
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徐廷鋐
.
中国专利
:CN104347630B
,2015-02-11
[2]
半导体器件及其制造方法
[P].
舛冈富士雄
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舛冈富士雄
;
中村广记
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中村广记
.
中国专利
:CN101847636B
,2010-09-29
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
施金汕
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机构:
安世半导体科技(上海)有限公司
安世半导体科技(上海)有限公司
施金汕
;
黄琳洁
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机构:
安世半导体科技(上海)有限公司
安世半导体科技(上海)有限公司
黄琳洁
;
朱春林
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机构:
安世半导体科技(上海)有限公司
安世半导体科技(上海)有限公司
朱春林
;
姜克
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机构:
安世半导体科技(上海)有限公司
安世半导体科技(上海)有限公司
姜克
.
中国专利
:CN119967829A
,2025-05-09
[4]
半导体器件和半导体器件制造方法
[P].
砂村润
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砂村润
;
金子贵昭
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金子贵昭
;
古武直也
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古武直也
;
齐藤忍
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齐藤忍
;
林喜宏
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林喜宏
.
中国专利
:CN103681673A
,2014-03-26
[5]
半导体器件及其制造方法、电子设备
[P].
项金娟
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
项金娟
;
段新绿
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
段新绿
;
焦正赢
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
焦正赢
;
王桂磊
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
王桂磊
;
赵超
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
赵超
.
中国专利
:CN119907251B
,2025-11-18
[6]
半导体器件及其制造方法、电子设备
[P].
李帅
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
李帅
;
张京
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北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
张京
;
王桂磊
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
王桂磊
.
中国专利
:CN121078730A
,2025-12-05
[7]
半导体器件及其制造方法、电子设备
[P].
项金娟
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
项金娟
;
段新绿
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
段新绿
;
焦正赢
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
焦正赢
;
王桂磊
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
王桂磊
;
赵超
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机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
赵超
.
中国专利
:CN119907251A
,2025-04-29
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
林士豪
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林士豪
;
杨智铨
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杨智铨
;
苏信文
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苏信文
;
林建隆
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林建隆
;
林建智
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0
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0
林建智
.
中国专利
:CN113314536A
,2021-08-27
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
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秋元健吾
;
佐佐木俊成
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佐佐木俊成
.
中国专利
:CN101728435A
,2010-06-09
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
杨海宁
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杨海宁
;
李伟健
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李伟健
.
中国专利
:CN101093832A
,2007-12-26
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