半导体器件及其制造方法、电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311374681.3

申请日：

2023-10-23

公开(公告)号：

CN119907251A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

项金娟段新绿焦正赢王桂磊赵超

申请人：

北京超弦存储器研究院

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/63 H10D62/80 H10D62/17

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

吴凤凰;龙洪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权
2025-04-29	公开	公开
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20231023

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

项金娟 ;

段新绿 ;

焦正赢 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN119907251B ,2025-11-18

[2]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

金美晨 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN120878631A ,2025-10-31

[3]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

李帅 ;

张京 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN121078730A ,2025-12-05

[4]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

项金娟 ;

赵超 ;

王桂磊 ;

栾庆洁 ;

段新绿 .

中国专利 :CN119451150A ,2025-02-14

[5]

3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

毛淑娟 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

戴瑾 ;

桂文华 .

中国专利 :CN118742016A ,2024-10-01

[6]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

戴瑾 ;

梁静 ;

姜建鹏 ;

余泳 ;

康卜文 .

中国专利 :CN120676620A ,2025-09-19

[7]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

王暾 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN120857498A ,2025-10-28

[8]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

王暾 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

孟敬恒 .

中国专利 :CN120857497A ,2025-10-28

[9]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

艾学正 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

桂文华 ;

赵超 .

中国专利 :CN120417367A ,2025-08-01

[10]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

王耐征 ;

田超 ;

贾礼宾 ;

平延磊 ;

周俊 .

中国专利 :CN119545780B ,2025-09-23

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