半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110427177.6

申请日：

2011-12-19

公开(公告)号：

CN102593119B

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

李孟烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2706 H01L218249

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李敬文

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20111219 授权公告日:20160323 终止日期:20201219
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101563529240 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2011104271776 申请日:20111219
2016-03-23	授权	授权
2012-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相容 .

中国专利 :CN101752421A ,2010-06-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

施金汕 ;

黄琳洁 ;

朱春林 ;

姜克 .

中国专利 :CN119967829A ,2025-05-09

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

高尧焕 ;

崔珍赫 .

中国专利 :CN1171629A ,1998-01-28

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101847636B ,2010-09-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

尹汝祖 .

中国专利 :CN101465350A ,2009-06-24

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111696854B ,2020-09-22

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

本田达也 ;

曾根宽人 .

中国专利 :CN105428418A ,2016-03-23

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