半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910252657.6

申请日：

2009-12-03

公开(公告)号：

CN101752421A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

李相容

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;邢雪红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	公开	公开
2012-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101170909934 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009102526576 申请日:20091203
2014-03-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101697941680 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009102526576 申请公布日:20100623

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[2]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

高尧焕 ;

崔珍赫 .

中国专利 :CN1171629A ,1998-01-28

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101847636B ,2010-09-29

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347502A ,2015-02-11

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

施金汕 ;

黄琳洁 ;

朱春林 ;

姜克 .

中国专利 :CN119967829A ,2025-05-09

[9]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

古武直也 ;

齐藤忍 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103681673A ,2014-03-26

[10]

半导体器件及其方法 [P].

乔瓦尼·卡拉布雷塞 ;

多玛格杰·西普拉克 ;

沃尔夫冈·莫尔泽尔 ;

乌韦·霍戴尔 .

中国专利 :CN102054872A ,2011-05-11

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