半导体器件及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010534614.X

申请日：

2010-11-05

公开(公告)号：

CN102054872A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

乔瓦尼·卡拉布雷塞多玛格杰·西普拉克沃尔夫冈·莫尔泽尔乌韦·霍戴尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴孟秋;李慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081907753 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201010534614X 申请日:20101105
2011-05-11	公开	公开
2016-02-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727755506 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201010534614X 申请公布日:20110511

共 50 条

[1]

半导体器件及其方法 [P].

乔瓦尼·卡拉布雷塞 ;

多玛格杰·西普拉克 ;

沃尔夫冈·莫尔泽尔 ;

乌韦·霍戴尔 .

中国专利 :CN103066127A ,2013-04-24

[2]

半导体器件结构及其形成方法、半导体器件 [P].

黄海涛 ;

陈伟 ;

张永熙 ;

仲雪倩 ;

陈思哲 .

中国专利 :CN117995684A ,2024-05-07

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相容 .

中国专利 :CN101752421A ,2010-06-23

[4]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101847636B ,2010-09-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

高尧焕 ;

崔珍赫 .

中国专利 :CN1171629A ,1998-01-28

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

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