半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97111873.6

申请日：

1997-06-27

公开(公告)号：

CN1171629A

公开(公告)日：

1998-01-28

发明(设计)人：

高尧焕崔珍赫

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2712 H01L218234 H01L2184

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

袁炳泽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-09-04	授权	授权
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584489600 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL971118736 申请日:19970627 授权公告日:20020904 终止日期:20130627
1998-01-28	公开	公开
1998-01-07	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101847636B ,2010-09-29

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

B·B·多里斯 ;

D·R·梅戴罗斯 ;

A·W·托波尔 ;

T·W·戴耶 .

中国专利 :CN101090115A ,2007-12-19

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111696854B ,2020-09-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

施金汕 ;

黄琳洁 ;

朱春林 ;

姜克 .

中国专利 :CN119967829A ,2025-05-09

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[9]

半导体器件 [P].

小山润 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102598269B ,2012-07-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

本田达也 ;

曾根宽人 .

中国专利 :CN105428418A ,2016-03-23

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