半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710103803.X

申请日：

2007-05-15

公开(公告)号：

CN101090115A

公开(公告)日：

2007-12-19

发明(设计)人：

B·B·多里斯 D·R·梅戴罗斯 A·W·托波尔 T·W·戴耶

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;刘瑞东

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-07	授权	授权
2007-12-19	公开	公开
2017-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/092 登记生效日:20171102 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2017-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/092 登记生效日:20171102 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

高尧焕 ;

崔珍赫 .

中国专利 :CN1171629A ,1998-01-28

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101847636B ,2010-09-29

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111696854B ,2020-09-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN102931191A ,2013-02-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

清水昭博 ;

大木长斗司 ;

野中裕介 ;

一濑胜彦 .

中国专利 :CN101465295A ,2009-06-24

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

清水昭博 ;

大木长斗司 ;

野中裕介 ;

一濑胜彦 .

中国专利 :CN1449585A ,2003-10-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

施金汕 ;

黄琳洁 ;

朱春林 ;

姜克 .

中国专利 :CN119967829A ,2025-05-09

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