半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910188627.7
申请日
2019-03-13
公开(公告)号
CN111696854B
公开(公告)日
2020-09-22
发明(设计)人
胡金节
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21027
IPC分类号
H01L21266 H01L218249 H01L2906 H01L2910
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
熊文杰;邓云鹏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
杨海宁 ;
李伟健 .
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半导体器件及其制造方法 [P]. 
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半导体器件及其制造方法 [P]. 
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[4]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
林士豪 ;
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半导体器件及制造半导体器件的方法 [P]. 
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半导体器件及其制造方法 [P]. 
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半导体器件及其制造方法 [P]. 
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一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
崔卫刚 .
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[10]
半导体器件 [P]. 
小山润 ;
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