功率半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420301640.1

申请日：

2014-06-09

公开(公告)号：

CN204011433U

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

H-J.舒尔策 F.普菲尔施 H.许斯肯

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2940 H01L2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;卢江

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011429U ,2014-12-10

[2]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011431U ,2014-12-10

[3]

功率半导体器件 [P].

H-J·舒尔策 ;

F·普菲尔施 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN204130542U ,2015-01-28

[4]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011432U ,2014-12-10

[5]

功率半导体器件 [P].

H-J·舒尔策 ;

F·普菲尔施 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN204067367U ,2014-12-31

[6]

功率半导体器件 [P].

李述洲 ;

王建平 ;

张力 ;

刘道广 ;

万欣 ;

高良 .

中国专利 :CN208315553U ,2019-01-01

[7]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[8]

功率半导体器件 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

陈文伟 .

中国专利 :CN207781613U ,2018-08-28

[9]

功率半导体器件 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN120456596A ,2025-08-08

[10]

功率半导体器件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102237409A ,2011-11-09

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