功率半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020289058.3

申请日：

2019-07-19

公开(公告)号：

CN211428177U

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

朴锺镐胡尚寿李相龙金世云

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L29866

IPC分类号：

H01L29167 H01L2706

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

张铮铮;马芬

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽二极管和功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN210296387U ,2020-04-10

[2]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

中国专利 :CN110660795A ,2020-01-07

[3]

功率半导体器件 [P].

石川胜美 ;

齐藤克明 ;

佐藤裕 ;

渡边笃雄 ;

加藤修治 ;

门马直弘 .

中国专利 :CN1150337A ,1997-05-21

[4]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203288595U ,2013-11-13

[5]

功率半导体器件 [P].

李述洲 ;

王建平 ;

张力 ;

刘道广 ;

万欣 ;

高良 .

中国专利 :CN208315553U ,2019-01-01

[6]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011429U ,2014-12-10

[7]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011433U ,2014-12-10

[8]

功率半导体器件 [P].

于克凡 ;

魏晓光 ;

高佳敏 ;

唐新灵 ;

郝炜 ;

林仲康 ;

石浩 ;

刘鉴辉 .

中国专利 :CN222916508U ,2025-05-27

[9]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011431U ,2014-12-10

[10]

功率半导体器件 [P].

H-J·舒尔策 ;

F·普菲尔施 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN204067367U ,2014-12-31

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