功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910575085.9

申请日：

2019-06-28

公开(公告)号：

CN110660795A

公开(公告)日：

2020-01-07

发明(设计)人：

M.费尔 P.C.布兰特 E.莱歇尔 H.梅克尔 K.施拉姆尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L2708

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

周学斌;申屠伟进

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/08 申请日:20190628
2020-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

德国专利 :CN110660795B ,2024-09-10

[2]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[3]

功率半导体器件和方法 [P].

H-J.特斯 ;

S.勒施 ;

M.普罗布斯特 ;

T.里希特 ;

O.施托尔贝克 .

中国专利 :CN112086512A ,2020-12-15

[4]

功率半导体器件和方法 [P].

H-J.特斯 ;

S.勒施 ;

M.普罗布斯特 ;

T.里希特 ;

O.施托尔贝克 .

德国专利 :CN112086512B ,2024-10-29

[5]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[6]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

[7]

半导体结构、半导体组件及功率半导体器件 [P].

杜江锋 ;

李振超 ;

刘东 ;

白智元 ;

于奇 ;

李述洲 .

中国专利 :CN106129107A ,2016-11-16

[8]

功率半导体器件、功率半导体模块和加工方法 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·希勒 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN110265374B ,2019-09-20

[9]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[10]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13

← 1 2 3 4 5 →