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功率半导体器件和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010534307.5
申请日
:
2020-06-12
公开(公告)号
:
CN112086512B
公开(公告)日
:
2024-10-29
发明(设计)人
:
H-J.特斯
S.勒施
M.普罗布斯特
T.里希特
O.施托尔贝克
申请人
:
英飞凌科技德累斯顿公司
申请人地址
:
德国德累斯顿坤斯布可街180号
IPC主分类号
:
H01L29/739
IPC分类号
:
H01L29/74
H01L29/78
H01L29/861
H01L21/329
H01L21/331
H01L21/332
H01L21/336
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
刘茜璐;申屠伟进
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-10-29
授权
授权
共 50 条
[1]
功率半导体器件和方法
[P].
H-J.特斯
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H-J.特斯
;
S.勒施
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S.勒施
;
M.普罗布斯特
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M.普罗布斯特
;
T.里希特
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T.里希特
;
O.施托尔贝克
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O.施托尔贝克
.
中国专利
:CN112086512A
,2020-12-15
[2]
功率半导体器件和方法
[P].
F·D·普菲尔施
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
F·D·普菲尔施
.
:CN112242439B
,2025-11-14
[3]
功率半导体器件和方法
[P].
F·D·普菲尔施
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F·D·普菲尔施
.
中国专利
:CN112242439A
,2021-01-19
[4]
功率半导体器件
[P].
M.费尔
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M.费尔
;
P.C.布兰特
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P.C.布兰特
;
E.莱歇尔
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E.莱歇尔
;
H.梅克尔
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H.梅克尔
;
K.施拉姆尔
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K.施拉姆尔
.
中国专利
:CN110660795A
,2020-01-07
[5]
功率半导体器件
[P].
M.费尔
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
M.费尔
;
P.C.布兰特
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
P.C.布兰特
;
E.莱歇尔
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
E.莱歇尔
;
H.梅克尔
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
H.梅克尔
;
K.施拉姆尔
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
K.施拉姆尔
.
德国专利
:CN110660795B
,2024-09-10
[6]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件
[P].
S·沃思
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机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
S·沃思
;
L·克诺尔
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机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
L·克诺尔
.
:CN119422224A
,2025-02-11
[7]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件
[P].
S·沃思
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机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
S·沃思
;
L·克诺尔
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机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
L·克诺尔
.
:CN120077756A
,2025-05-30
[8]
功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法
[P].
E.格里布尔
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E.格里布尔
;
M.贝宁格-比纳
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M.贝宁格-比纳
;
M.戴内泽
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M.戴内泽
;
I.迪恩施托费尔
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I.迪恩施托费尔
.
中国专利
:CN111463130A
,2020-07-28
[9]
功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法
[P].
E.格里布尔
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机构:
英飞凌科技德累斯顿公司
英飞凌科技德累斯顿公司
E.格里布尔
;
M.贝宁格-比纳
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机构:
英飞凌科技德累斯顿公司
英飞凌科技德累斯顿公司
M.贝宁格-比纳
;
M.戴内泽
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机构:
英飞凌科技德累斯顿公司
英飞凌科技德累斯顿公司
M.戴内泽
;
I.迪恩施托费尔
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机构:
英飞凌科技德累斯顿公司
英飞凌科技德累斯顿公司
I.迪恩施托费尔
.
德国专利
:CN111463130B
,2024-10-25
[10]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法
[P].
C·奎斯特-马特
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机构:
纬湃科技有限责任公司
纬湃科技有限责任公司
C·奎斯特-马特
;
D·巴贡
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纬湃科技有限责任公司
纬湃科技有限责任公司
D·巴贡
;
D·沃尔夫
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机构:
纬湃科技有限责任公司
纬湃科技有限责任公司
D·沃尔夫
.
德国专利
:CN114450783B
,2025-11-11
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