功率半导体器件和方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010534307.5
申请日
2020-06-12
公开(公告)号
CN112086512B
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
H-J.特斯 S.勒施 M.普罗布斯特 T.里希特 O.施托尔贝克
申请人
英飞凌科技德累斯顿公司
申请人地址
德国德累斯顿坤斯布可街180号
IPC主分类号
H01L29/739
IPC分类号
H01L29/74 H01L29/78 H01L29/861 H01L21/329 H01L21/331 H01L21/332 H01L21/336
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
刘茜璐;申屠伟进
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体器件和方法 [P]. 
H-J.特斯 ;
S.勒施 ;
M.普罗布斯特 ;
T.里希特 ;
O.施托尔贝克 .
中国专利 :CN112086512A ,2020-12-15
[2]
功率半导体器件和方法 [P]. 
F·D·普菲尔施 .
:CN112242439B ,2025-11-14
[3]
功率半导体器件和方法 [P]. 
F·D·普菲尔施 .
中国专利 :CN112242439A ,2021-01-19
[4]
功率半导体器件 [P]. 
M.费尔 ;
P.C.布兰特 ;
E.莱歇尔 ;
H.梅克尔 ;
K.施拉姆尔 .
中国专利 :CN110660795A ,2020-01-07
[5]
功率半导体器件 [P]. 
M.费尔 ;
P.C.布兰特 ;
E.莱歇尔 ;
H.梅克尔 ;
K.施拉姆尔 .
德国专利 :CN110660795B ,2024-09-10
[6]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P]. 
S·沃思 ;
L·克诺尔 .
:CN119422224A ,2025-02-11
[7]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P]. 
S·沃思 ;
L·克诺尔 .
:CN120077756A ,2025-05-30
[8]
功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P]. 
E.格里布尔 ;
M.贝宁格-比纳 ;
M.戴内泽 ;
I.迪恩施托费尔 .
中国专利 :CN111463130A ,2020-07-28
[9]
功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P]. 
E.格里布尔 ;
M.贝宁格-比纳 ;
M.戴内泽 ;
I.迪恩施托费尔 .
德国专利 :CN111463130B ,2024-10-25
[10]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11