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功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010052976.9
申请日：
2020-01-17
公开(公告)号：
CN111463130A
公开(公告)日：
2020-07-28
发明(设计)人：
E.格里布尔 M.贝宁格-比纳 M.戴内泽 I.迪恩施托费尔
申请人：
申请人地址：
德国德累斯顿坤斯布可街180号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L21331 H01L2908 H01L29739 H01L2978
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
刘茜璐;申屠伟进
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-07-28 公开 公开
2021-12-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200117
共 50 条
[1]
功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P]. 
E.格里布尔 ;
M.贝宁格-比纳 ;
M.戴内泽 ;
I.迪恩施托费尔 .
德国专利 :CN111463130B ,2024-10-25
[2]
功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法 [P]. 
G.科尔梅德 ;
J.马勒 .
德国专利 :CN108807368B ,2024-02-02
[3]
功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法 [P]. 
G.科尔梅德 ;
J.马勒 .
中国专利 :CN108807368A ,2018-11-13
[4]
半导体器件和形成功率MOSFET的方法 [P]. 
S.J.安德森 ;
D.N.奥卡达 .
中国专利 :CN102820259A ,2012-12-12
[5]
功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法 [P]. 
P.C.布兰特 ;
M.普法芬莱纳 ;
F.D.普菲尔施 ;
F.J.桑托斯罗德里格斯 ;
S.施密特 ;
F.乌姆巴赫 .
中国专利 :CN111584614A ,2020-08-25
[6]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
A·莫德 ;
H-J·泰斯 .
德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04
[7]
功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法 [P]. 
P.C.布兰特 ;
M.普法芬莱纳 ;
F.D.普菲尔施 ;
F.J.桑托斯罗德里格斯 ;
S.施密特 ;
F.乌姆巴赫 .
德国专利 :CN111584614B ,2025-03-28
[8]
功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法和操作功率半导体器件的方法 [P]. 
F·J·桑托斯罗德里格斯 ;
R·巴伯斯克 ;
H-J·舒尔茨 ;
D·施洛格 .
德国专利 :CN117525135A ,2024-02-06
[9]
功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P]. 
M·佩尔马尔 ;
A·莫德 .
德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19
[10]
功率半导体器件和方法 [P]. 
H-J.特斯 ;
S.勒施 ;
M.普罗布斯特 ;
T.里希特 ;
O.施托尔贝克 .
中国专利 :CN112086512A ,2020-12-15
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