半导体器件和形成功率MOSFET的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210187956.8

申请日：

2012-06-08

公开(公告)号：

CN102820259A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

S.J.安德森 D.N.奥卡达

申请人：

申请人地址：

美国阿利桑那州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L23528 H01L29417 H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马永利;李家麟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101709903834 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101879568 申请公布日:20121212
2012-12-12	公开	公开
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101389917517 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101879568 申请日:20120608

共 50 条

[1]

功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P].

E.格里布尔 ;

M.贝宁格-比纳 ;

M.戴内泽 ;

I.迪恩施托费尔 .

中国专利 :CN111463130A ,2020-07-28

[2]

功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P].

E.格里布尔 ;

M.贝宁格-比纳 ;

M.戴内泽 ;

I.迪恩施托费尔 .

德国专利 :CN111463130B ,2024-10-25

[3]

功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法 [P].

G.科尔梅德 ;

J.马勒 .

德国专利 :CN108807368B ,2024-02-02

[4]

功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法 [P].

G.科尔梅德 ;

J.马勒 .

中国专利 :CN108807368A ,2018-11-13

[5]

集成功率半导体器件和电子设备 [P].

于克凡 ;

魏晓光 ;

代安琪 ;

唐新灵 ;

林仲康 ;

石浩 ;

王靖飞 ;

王亮 .

中国专利 :CN119922964A ,2025-05-02

[6]

使用梨晶生长的碳化硅漂移层形成功率半导体器件的方法和由此形成的功率半导体器件 [P].

J·J·苏马克里斯 ;

H·M·霍布古德 ;

M·J·佩斯利 ;

J·R·詹尼 ;

C·H·小卡特 ;

V·F·茨韦特科夫 .

中国专利 :CN100474612C ,2006-11-22

[7]

集成功率半导体器件、其制造方法和斩波电路 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 ;

安德烈亚斯·迈塞尔 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 .

中国专利 :CN103515383B ,2014-01-15

[8]

垂直功率MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212725320U ,2021-03-16

[9]

双面散热功率MOSFET半导体器件 [P].

黄杭 ;

王赵云 .

中国专利 :CN216120276U ,2022-03-22

[10]

绝缘集成功率器件 [P].

玄永星 ;

李强 ;

杨明 ;

常江 .

中国专利 :CN308787847S ,2024-08-16

← 1 2 3 4 5 →