集成功率半导体器件和电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510374466.6

申请日：

2025-03-27

公开(公告)号：

CN119922964A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

于克凡魏晓光代安琪唐新灵林仲康石浩王靖飞王亮

申请人：

北京怀柔实验室

申请人地址：

101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室

IPC主分类号：

H10D80/20

IPC分类号：

H01L23/48

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

霍文娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 80/20申请日:20250327
2025-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P].

E.格里布尔 ;

M.贝宁格-比纳 ;

M.戴内泽 ;

I.迪恩施托费尔 .

中国专利 :CN111463130A ,2020-07-28

[2]

功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法 [P].

E.格里布尔 ;

M.贝宁格-比纳 ;

M.戴内泽 ;

I.迪恩施托费尔 .

德国专利 :CN111463130B ,2024-10-25

[3]

功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法 [P].

G.科尔梅德 ;

J.马勒 .

德国专利 :CN108807368B ,2024-02-02

[4]

功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法 [P].

G.科尔梅德 ;

J.马勒 .

中国专利 :CN108807368A ,2018-11-13

[5]

集成功率半导体器件、其制造方法和斩波电路 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 ;

安德烈亚斯·迈塞尔 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 .

中国专利 :CN103515383B ,2014-01-15

[6]

一种集成功率半导体功率模块 [P].

陈斌 ;

刘志宏 .

中国专利 :CN201845770U ,2011-05-25

[7]

一种集成功率半导体功率模块 [P].

陈斌 ;

刘志宏 .

中国专利 :CN102097417A ,2011-06-15

[8]

功率半导体器件单元、功率半导体模块、电子设备和车辆 [P].

谢月 ;

吴彦 ;

刘宗尧 .

中国专利 :CN119852272A ,2025-04-18

[9]

绝缘集成功率器件 [P].

玄永星 ;

李强 ;

杨明 ;

常江 .

中国专利 :CN308787847S ,2024-08-16

[10]

功率半导体器件及电子设备 [P].

孟祥飞 .

中国专利 :CN114664763A ,2022-06-24

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