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功率半导体器件和方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010690684.8
申请日：
2020-07-17
公开(公告)号：
CN112242439B
公开(公告)日：
2025-11-14
发明(设计)人：
F·D·普菲尔施
申请人：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号：
H10D12/00
IPC分类号：
H10D12/01 H10D8/00 H10D8/01 H10D62/10 H10D30/60 H10D62/60
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
刘书航;申屠伟进
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-14 授权 授权
共 50 条
[1]
功率半导体器件和方法 [P]. 
F·D·普菲尔施 .
中国专利 :CN112242439A ,2021-01-19
[2]
功率半导体器件和方法 [P]. 
H-J.特斯 ;
S.勒施 ;
M.普罗布斯特 ;
T.里希特 ;
O.施托尔贝克 .
中国专利 :CN112086512A ,2020-12-15
[3]
功率半导体器件和方法 [P]. 
M.普法芬莱纳 ;
J-G.鲍尔 ;
F.D.普菲尔施 ;
T.沙伊佩尔 ;
K.施拉姆尔 .
中国专利 :CN111916489A ,2020-11-10
[4]
功率半导体器件和方法 [P]. 
H-J.特斯 ;
S.勒施 ;
M.普罗布斯特 ;
T.里希特 ;
O.施托尔贝克 .
德国专利 :CN112086512B ,2024-10-29
[5]
功率半导体器件 [P]. 
R.巴布尔斯克 ;
M.耶利内克 ;
F-J.尼德诺斯泰德 ;
F.D.普菲尔施 ;
C.P.桑多 ;
H-J.舒尔策 .
德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13
[6]
功率半导体器件 [P]. 
R.巴布尔斯克 ;
M.耶利内克 ;
F-J.尼德诺斯泰德 ;
F.D.普菲尔施 ;
C.P.桑多 ;
H-J.舒尔策 .
中国专利 :CN111326575A ,2020-06-23
[7]
功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P]. 
M·佩尔马尔 ;
A·莫德 .
德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19
[8]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11
[9]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06
[10]
功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P]. 
F·普菲尔施 ;
H-J·舒尔茨 ;
V·范特里克 .
德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01
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