功率半导体器件、功率半导体模块和加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910475896.1

申请日：

2017-02-03

公开(公告)号：

CN110265374B

公开(公告)日：

2019-09-20

发明(设计)人：

罗曼·罗特弗兰克·希勒汉斯-约阿希姆·舒尔策

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

唐京桥;刘雯鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20170203
2019-09-20	公开	公开
2022-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[2]

功率半导体模块和功率半导体堆叠 [P].

J·舒德勒 ;

柳春雷 ;

S·基辛 ;

G·塞尔瓦托 ;

F·莫恩 .

:CN220796745U ,2024-04-16

[3]

一种功率半导体模块和功率半导体器件 [P].

新居良英 ;

刘乐 ;

刘莉飞 ;

王庆凯 ;

高崎哲 ;

苟文辉 .

中国专利 :CN210516724U ,2020-05-12

[4]

功率半导体模块、功率半导体组件和用于生产功率半导体模块的方法 [P].

F·杜加尔 ;

G·帕克 .

:CN116686079B ,2024-08-20

[5]

功率半导体器件 [P].

朴镇玉 ;

姜男主 ;

宋承昱 ;

李枓炯 ;

李在德 .

韩国专利 :CN119907281A ,2025-04-29

[6]

功率半导体模块 [P].

S.哈特曼 ;

D.特吕塞尔 .

中国专利 :CN109997223A ,2019-07-09

[7]

功率半导体模块 [P].

陈燕平 ;

熊辉 ;

文驰 ;

袁勇 ;

时海定 ;

忻兰苑 ;

李保国 ;

刘敏安 ;

龚喆 ;

高海祐 ;

谢稳 .

中国专利 :CN108010891A ,2018-05-08

[8]

功率半导体模块 [P].

田久保拡 .

中国专利 :CN1885535B ,2006-12-27

[9]

功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

H·库拉斯 .

中国专利 :CN104517917B ,2015-04-15

[10]

功率半导体模块以及用于冷却功率半导体模块的方法 [P].

丹尼尔·卡尼 ;

弗朗切斯科·阿戈斯蒂尼 ;

迪迪埃·科泰 ;

达尼埃莱·托雷辛 ;

马蒂厄·哈贝特 .

中国专利 :CN105374771A ,2016-03-02

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