槽型半导体功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010610944.2

申请日：

2010-12-29

公开(公告)号：

CN102110716B

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2951

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曲宝壮;李家麟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-05	授权	授权
2011-06-29	公开	公开
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096120147 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010106109442 申请日:20101229
2017-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101705177379 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010106109442 申请日:20101229 授权公告日:20140305 终止日期:20151229

共 50 条

[1]

槽栅半导体功率器件 [P].

罗小蓉 ;

蒋永恒 ;

蔡金勇 ;

范叶 ;

王沛 ;

王骁伟 ;

周坤 ;

王琦 ;

罗尹春 ;

张波 .

中国专利 :CN102723355A ,2012-10-10

[2]

槽栅型功率半导体器件 [P].

宋寅赫 ;

朴在勋 ;

徐东秀 .

中国专利 :CN103594501A ,2014-02-19

[3]

一种具有高K介质槽的半导体功率器件 [P].

罗小蓉 ;

姚国亮 ;

王元刚 ;

雷天飞 ;

陈曦 ;

葛瑞 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN102184939A ,2011-09-14

[4]

一种槽型半导体功率器件 [P].

罗小蓉 ;

王沛 ;

范叶 ;

蔡金勇 ;

王琦 ;

蒋永恒 ;

周坤 ;

王骁玮 ;

范远航 ;

魏杰 ;

罗尹春 .

中国专利 :CN102832237B ,2012-12-19

[5]

一种槽栅型超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907746U ,2021-04-06

[6]

半导体功率器件 [P].

袁愿林 ;

刘伟 ;

毛振东 ;

刘磊 .

中国专利 :CN110970502A ,2020-04-07

[7]

半导体功率器件 [P].

马强 .

中国专利 :CN106972060A ,2017-07-21

[8]

半导体功率器件 [P].

刘伟 ;

王鑫 ;

袁愿林 ;

龚轶 .

中国专利 :CN114335170A ,2022-04-12

[9]

半导体功率器件 [P].

安荷·叭剌 ;

弗兰茨娃·赫尔伯特 ;

丹尼尔·S·恩济 .

中国专利 :CN101490847B ,2009-07-22

[10]

半导体功率器件 [P].

马强 .

中国专利 :CN206564256U ,2017-10-17

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