槽栅型功率半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210576683.6
申请日
2012-12-26
公开(公告)号
CN103594501A
公开(公告)日
2014-02-19
发明(设计)人
宋寅赫 朴在勋 徐东秀
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L29739
IPC分类号
H01L2906
代理机构
北京润平知识产权代理有限公司 11283
代理人
施娥娟;桑传标
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
槽栅半导体功率器件 [P]. 
罗小蓉 ;
蒋永恒 ;
蔡金勇 ;
范叶 ;
王沛 ;
王骁伟 ;
周坤 ;
王琦 ;
罗尹春 ;
张波 .
中国专利 :CN102723355A ,2012-10-10
[2]
槽型半导体功率器件 [P]. 
罗小蓉 ;
姚国亮 ;
雷天飞 ;
王元刚 ;
张波 .
中国专利 :CN102110716B ,2011-06-29
[3]
功率半导体器件 [P]. 
杨彦涛 ;
王平 ;
陈文伟 .
中国专利 :CN207781613U ,2018-08-28
[4]
功率半导体器件 [P]. 
杨彦涛 ;
夏志平 ;
王维建 .
中国专利 :CN207781614U ,2018-08-28
[5]
功率半导体器件 [P]. 
杨彦涛 ;
夏志平 ;
王维建 .
中国专利 :CN207781612U ,2018-08-28
[6]
功率半导体器件 [P]. 
杨彦涛 ;
向璐 ;
陈琛 ;
吕焕秀 .
中国专利 :CN207781611U ,2018-08-28
[7]
功率半导体器件 [P]. 
杨彦涛 ;
王平 ;
顾悦吉 ;
张邵华 ;
李敏 .
中国专利 :CN207781615U ,2018-08-28
[8]
耗尽型功率半导体器件 [P]. 
叶俊 ;
张邵华 ;
李敏 .
中国专利 :CN202736927U ,2013-02-13
[9]
绝缘栅型半导体器件 [P]. 
斋藤顺 ;
浜田公守 ;
添野明高 ;
高谷秀史 ;
青井佐智子 ;
山本敏雅 .
中国专利 :CN106133913B ,2016-11-16
[10]
绝缘栅型半导体器件 [P]. 
友松佳史 ;
高桥英树 ;
田所千广 .
中国专利 :CN1705136A ,2005-12-07