MOS功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110176519.1

申请日：

2011-06-28

公开(公告)号：

CN102244100A

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

王颢

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101464917829 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011101765191 申请日:20110628
2016-01-06	授权	授权
2011-11-16	公开	公开
2014-05-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701063085 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011101765191 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140425

共 50 条

[1]

MOS功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15

[2]

高压MOS控制功率半导体器件 [P].

缪志平 .

中国专利 :CN215266308U ,2021-12-21

[3]

MOS型功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17

[4]

功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16

[5]

功率MOS半导体器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09

[6]

高压MOS控制功率半导体器件 [P].

F·鲍尔 .

中国专利 :CN1128903A ,1996-08-14

[7]

MOS-栅功率半导体器件 [P].

吴侊勋 ;

秋秉镐 ;

金秀圣 ;

尹钟晚 .

中国专利 :CN102024814A ,2011-04-20

[8]

MOS-栅功率半导体器件 [P].

吴侊勋 ;

秋秉镐 ;

金秀圣 ;

尹钟晚 .

中国专利 :CN102005455A ,2011-04-06

[9]

功率半导体器件 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN119922962B ,2025-06-20

[10]

功率半导体器件 [P].

P·甘蒙 ;

C·W·陈 .

中国专利 :CN107548521A ,2018-01-05

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