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高压MOS控制功率半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202121535685.1
申请日：
2021-07-07
公开(公告)号：
CN215266308U
公开(公告)日：
2021-12-21
发明(设计)人：
缪志平
申请人：
申请人地址：
214200 江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇陶瓷产业园蠡河路
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29739
H01L2974
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-21 | 授权 | 授权 |