一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910812050.2

申请日：

2019-08-30

公开(公告)号：

CN110459598A

公开(公告)日：

2019-11-15

发明(设计)人：

张金平罗君轶赵阳刘竞秀李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20191115
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190830
2019-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166915B ,2019-01-08

[2]

一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109119461B ,2019-01-01

[3]

一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166924B ,2019-01-08

[4]

一种超结型半导体器件及其制作方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116053138B ,2025-11-18

[5]

一种横向高压超结功率半导体器件 [P].

乔明 ;

章文通 ;

黄军军 ;

张波 .

中国专利 :CN103489915A ,2014-01-01

[6]

超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11

[7]

一种超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN210156383U ,2020-03-17

[8]

一种超结功率半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN114203824B ,2022-03-18

[9]

超结功率半导体器件 [P].

丹尼尔·M·金策 .

中国专利 :CN101641791A ,2010-02-03

[10]

一种超结MOS半导体器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN222750779U ,2025-04-11

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