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一种超结型半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211590538.3
申请日：
2022-12-12
公开(公告)号：
CN116053138B
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
夏亮 朱治鼎 王蒙
申请人：
深圳市创芯微微电子有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/63 H10D62/10
代理机构：
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325
代理人：
谭果林
法律状态：
授权
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-18 授权 授权
2024-11-12 著录事项变更 著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/336变更事项:申请人变更前:深圳市创芯微微电子股份有限公司变更后:深圳市创芯微微电子有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼变更后:518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼
共 50 条
[1]
一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
张金平 ;
罗君轶 ;
赵阳 ;
刘竞秀 ;
李泽宏 ;
张波 .
中国专利 :CN110459598A ,2019-11-15
[2]
半导体器件的制作方法、超结器件及其制作方法 [P]. 
罗顶 ;
何云 ;
袁家贵 ;
管浩 .
中国专利 :CN110767743A ,2020-02-07
[3]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
马燕春 .
中国专利 :CN104517841B ,2015-04-15
[4]
超级结半导体器件及其制作方法 [P]. 
肖胜安 ;
韩峰 .
中国专利 :CN102479806A ,2012-05-30
[5]
一种超结功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
李宗清 .
中国专利 :CN110416309A ,2019-11-05
[6]
一种超结功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
李宗清 .
中国专利 :CN110416309B ,2024-04-09
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
马欢 ;
房玉川 ;
吴志浩 .
中国专利 :CN117712143A ,2024-03-15
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
约瑟夫·俄依恩扎 .
中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161B ,2024-08-23
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161A ,2021-11-02
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