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一种超结功率半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910808382.3
申请日：
2019-08-29
公开(公告)号：
CN110416309A
公开(公告)日：
2019-11-05
发明(设计)人：
朱袁正 李宗清
申请人：
申请人地址：
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906 H01L21336
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;陈丽丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-11-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190829
2019-11-05 公开 公开
共 50 条
[1]
一种超结功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
李宗清 .
中国专利 :CN110416309B ,2024-04-09
[2]
一种超结功率半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
李宗清 .
中国专利 :CN210156383U ,2020-03-17
[3]
一种沟槽栅超结功率半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
周锦程 ;
杨卓 .
中国专利 :CN216597595U ,2022-05-24
[4]
功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P]. 
王群 ;
陈张笑雄 ;
龚逸品 ;
吴志浩 ;
梅劲 ;
王江波 ;
刘榕 .
中国专利 :CN117410329A ,2024-01-16
[5]
功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P]. 
王群 ;
龚逸品 ;
陈张笑雄 ;
吴志浩 ;
梅劲 ;
王江波 ;
刘榕 .
中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02
[6]
沟槽栅功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
罗海辉 ;
姚尧 ;
肖强 ;
肖海波 ;
覃荣震 ;
谭灿健 .
中国专利 :CN113066861A ,2021-07-02
[7]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
蔡尚修 .
中国专利 :CN117393586B ,2024-04-05
[8]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN110400836A ,2019-11-01
[9]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN110993683B ,2024-08-02
[10]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
张景超 ;
戚丽娜 ;
林茂 ;
井亚会 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN112652666A ,2021-04-13
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