功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311270090.1

申请日：

2023-09-28

公开(公告)号：

CN117410329A

公开(公告)日：

2024-01-16

发明(设计)人：

王群陈张笑雄龚逸品吴志浩梅劲王江波刘榕

申请人：

华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/335

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/778变更事项:申请人变更前:华灿光电（苏州）有限公司变更后:京东方华灿光电（苏州）有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号变更后:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
2024-01-16	公开	公开
2024-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20230928

共 50 条

[1]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02

[2]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410328A ,2024-01-16

[3]

功率半导体器件制作方法及功率半导体器件 [P].

段雪 ;

洪求龙 ;

银军 ;

李明磊 ;

黄雒光 ;

张志国 ;

高永辉 ;

徐会博 .

中国专利 :CN110137092B ,2019-08-16

[4]

一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件 [P].

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

陈喜明 ;

王亚飞 ;

龚芷玉 ;

罗烨辉 ;

魏伟 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112310225A ,2021-02-02

[5]

一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件 [P].

赵艳黎 ;

马亚超 ;

陈喜明 ;

王亚飞 ;

刘启军 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN114220735A ,2022-03-22

[6]

一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件 [P].

徐焕新 ;

陈芳林 ;

陈勇民 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

潘学军 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN111933705A ,2020-11-13

[7]

功率半导体器件及制造该功率半导体器件的方法 [P].

黄瑄珪 ;

金钟燮 .

中国专利 :CN115148793A ,2022-10-04

[8]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

[9]

功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P].

孙志斌 ;

李海军 ;

宣雷 .

中国专利 :CN119049986A ,2024-11-29

[10]

功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法 [P].

喻慧 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119486237A ,2025-02-18

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