功率半导体器件制作方法及功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910353871.4

申请日：

2019-04-29

公开(公告)号：

CN110137092B

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2156 H01L2160 H01L21329 H01L29872 H01L2329 H01L23367 H01L23488

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

秦敏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权
2019-08-16	公开	公开
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/50 申请日:20190429

共 50 条

[1]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410328A ,2024-01-16

[2]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410329A ,2024-01-16

[3]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02

[4]

功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件 [P].

王文兵 ;

史波 .

中国专利 :CN110571148B ,2019-12-13

[5]

一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件 [P].

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

陈喜明 ;

王亚飞 ;

龚芷玉 ;

罗烨辉 ;

魏伟 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112310225A ,2021-02-02

[6]

一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件 [P].

赵艳黎 ;

马亚超 ;

陈喜明 ;

王亚飞 ;

刘启军 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN114220735A ,2022-03-22

[7]

一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件 [P].

徐焕新 ;

陈芳林 ;

陈勇民 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

潘学军 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN111933705A ,2020-11-13

[8]

功率半导体器件 [P].

陈勇 ;

张邵华 ;

杨青森 ;

陈琛 ;

刘块 .

中国专利 :CN222674847U ,2025-03-25

[9]

功率半导体器件 [P].

张邵华 ;

郭广兴 ;

杨彦涛 .

中国专利 :CN212434630U ,2021-01-29

[10]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

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