功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411463012.8

申请日：

2024-10-18

公开(公告)号：

CN119486237A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

喻慧蔡军

申请人：

矽力杰半导体技术（杭州）有限公司

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号

IPC主分类号：

H10D64/27

IPC分类号：

H10D64/01 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

穆桂芳;黄健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/27申请日:20241018
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法 [P].

蔡红卫 ;

马万里 ;

张泉 ;

肖帅 .

中国专利 :CN121099671A ,2025-12-09

[2]

功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法 [P].

刘浩文 ;

马万里 ;

闫正坤 ;

谭键文 ;

肖帅 .

中国专利 :CN120835601A ,2025-10-24

[3]

制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件 [P].

郑忠庆 ;

王志伟 ;

王艳春 .

中国专利 :CN107768250B ,2018-03-06

[4]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02

[5]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

[6]

功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P].

孙志斌 ;

李海军 ;

宣雷 .

中国专利 :CN119049986A ,2024-11-29

[7]

功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P].

苏梨梨 ;

曹俊 ;

敖利波 ;

史波 ;

马浩华 .

中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14

[8]

功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件 [P].

王文兵 ;

史波 .

中国专利 :CN110571148B ,2019-12-13

[9]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[10]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

← 1 2 3 4 5 →