功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511202317.8

申请日：

2025-08-26

公开(公告)号：

CN120835601A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

刘浩文马万里闫正坤谭键文肖帅

申请人：

珠海格力电子元器件有限公司

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D8/00 H10D8/01 H10D8/60 H10D10/00 H10D10/01 H10D12/01 H10D12/00 H10D18/00 H10D18/01 H10D30/01 H10D30/60 H10D62/00 H10D64/62 H10D64/64

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

王露玲

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法 [P].

蔡红卫 ;

马万里 ;

张泉 ;

肖帅 .

中国专利 :CN121099671A ,2025-12-09

[2]

制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件 [P].

郑忠庆 ;

王志伟 ;

王艳春 .

中国专利 :CN107768250B ,2018-03-06

[3]

功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法 [P].

喻慧 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119486237A ,2025-02-18

[4]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[5]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

M·普法芬莱纳 ;

A·比斯瓦斯 ;

M·科托罗格亚 ;

H-J·舒尔茨 ;

P·森格 .

德国专利 :CN119730355A ,2025-03-28

[6]

功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法 [P].

P.C.布兰特 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.D.普菲尔施 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

S.施密特 ;

F.乌姆巴赫 .

中国专利 :CN111584614A ,2020-08-25

[7]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

H-J·泰斯 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN119767703A ,2025-04-04

[8]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·莫德 ;

H-J·泰斯 .

德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04

[10]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

T·纳尔德曼 ;

V·拉皮杜斯 ;

F·普菲尔施 ;

A·斯卡沃佐 .

:CN119730266A ,2025-03-28

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250826