制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610677403.9

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

CN107768250B

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

郑忠庆王志伟王艳春

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331 H01L21329 H01L29861 H01L29739 H01L2978 H01L23367

代理机构：

北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447

代理人：

南毅宁;桑传标

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-23	授权	授权
2018-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160816
2021-02-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20210203 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2018-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法 [P].

蔡红卫 ;

马万里 ;

张泉 ;

肖帅 .

中国专利 :CN121099671A ,2025-12-09

[2]

功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法 [P].

刘浩文 ;

马万里 ;

闫正坤 ;

谭键文 ;

肖帅 .

中国专利 :CN120835601A ,2025-10-24

[3]

半导体功率器件和半导体功率器件的制备方法 [P].

董国全 ;

张增成 ;

曾重 ;

李永辉 ;

王艳春 .

中国专利 :CN117525130A ,2024-02-06

[4]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

郑忠庆 .

中国专利 :CN106783606A ,2017-05-31

[5]

功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法 [P].

喻慧 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119486237A ,2025-02-18

[6]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[7]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

M·普法芬莱纳 ;

A·比斯瓦斯 ;

M·科托罗格亚 ;

H-J·舒尔茨 ;

P·森格 .

德国专利 :CN119730355A ,2025-03-28

[8]

功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法 [P].

P.C.布兰特 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.D.普菲尔施 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

S.施密特 ;

F.乌姆巴赫 .

中国专利 :CN111584614A ,2020-08-25

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

H-J·泰斯 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN119767703A ,2025-04-04

[10]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

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